摘 　要: 目的 　探讨非均匀恒磁场N、S极对小鼠学习记忆的影响。方法 　用避暗实验法和自主活动法,分别观察非均匀恒磁场N、S极对学习记忆能力的影响;应用光镜观察非均匀恒磁场N、S极**后,脑组织神经元细胞形态学改变。结果 　避暗实验表明磁场N极组与空白对照组比较,学习成绩测试错误次数(mis2take ,M 值)减少,记忆测试M值减少,均有显著性差异( P< 0. 05) ;磁场S极组与空白对照组比较,记忆测试M值减少,有显著性差异( P< 0. 05) ;小鼠自主活动测定各组均无显著性差异( P>0. 05) ;各组比较脑神经元的结构无明显改变。结论 　非均匀恒磁场的预防性**,可提高小鼠的学习记忆能力,并以N极为著。

关 　键 　词: 学习和记忆;非均匀恒磁场;自主活动

　　在临床上广泛应用,对神经系统的作用主要表现在镇痛和**方面,但对学习记忆能力是否有影响未见报道。笔者采用小鼠避暗实验法和自主活动法,分别观察了非均匀恒磁场N、S极对小鼠学习记忆能力的影响,并且用光镜观察了非均匀恒磁场**后,小鼠大脑皮质神经元的组织学结构变化,现报道如下。

1　材料与方法

1. 1 　实验动物及分组

昆明种小鼠54只,雌雄各半,体重(20±2)g(由白求恩医科大学实验动物中心提供) 。随机分为3组,即空白对照组、磁场N极组和磁场S极组,每组18只。

1. 2 　磁场装置及仪器

1cm×1 cm×0. 2 cm的N、S极磁极板各24片,极性相同的为一组, 每组以前后、左右间距

3 cm,分4排排列,N 或S极朝向鼠体,固定在两个硬塑料鼠盒外底部,测定磁极板游离极及相邻磁极板横间距、纵间距和对角线中心点对应的鼠盒底部内侧磁场强度,在N极组分别是30. 0、3. 0、3. 1和1. 4 mT;在S极组分别是46. 0、3. 9、4. 0和1. 4 mT。磁场N、S极组的小鼠分别在N极朝向鼠体或S极朝向鼠体的鼠盒内饲养。小鼠避暗实验自动记录仪、小鼠自主活动程序自动控制仪,均为**研究所制造。

1. 3 　方 　法

　　小鼠避暗实验:动物适应环境3 d后进行实验,室温15℃～18℃。磁场**15 d后,行小鼠避暗实验的学习训练。方法按文献将小鼠置于避暗实验仪的明室中,记录5 min内小鼠**次进入暗室受到电击所需的时间为潜伏期(EL) ,并记录5 min内小鼠受电击的次数作为错误次数(M) 。24 h后再重复避暗实验,记录受电击的M和EL ,以此作为评价小鼠记忆功能的指标。

　　小鼠自主活动测定:将小鼠置于自主活动自动记录箱中,记录5 min内的活动次数。

　　光镜标本制作及统计学处理:在学习记忆功能测定后,立即将每组小鼠断头处死6只,取大脑半球额叶前部相同部位的皮质,行光镜常规方法固定、切片、观察。比较各组脑神经元组织学结构的改变。结果以平均值 ±标准差(€x±s)表示,采用方差分析及多个样本均数间两两比较的q检验。2　结 　果

非均匀恒磁场对小鼠学习记忆、自主活动的影响,详见表1～2。光镜观察结果,各组间脑神经元组织学结构无明显改变。

3　讨 　论

　　现已有实验证明,恒磁场具有神经系统的生物学效应,但作用机理并不十分清楚。